KSD5041QBU概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar BJT Transistor NPN 20 V 5 A 150MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin TO-92 Bulk
KSD5041QBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 750 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 230 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 750 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSD5041QBU