KSD882YS概述
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3Pin3+Tab TO-126 Bulk
Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 3 A 90MHz 1 W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS NPN 30V 3A TO126-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
富昌:
NPN 1 W 30 V 3 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Win Source:
TRANS NPN 30V 3A TO-126
KSD882YS中文资料参数规格
技术参数
频率 90 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 160 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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