KSB811GTA

KSB811GTA图片1
KSB811GTA中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2.31 mm

高度 3.7 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSB811GTA
型号: KSB811GTA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Transistor

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