KSC2690AYS

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KSC2690AYS概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC2690AYS  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 155 MHz, 20 W, 1.2 A, 160 hFE

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 160V collector base voltage and 1.2A collector current. It is suitable for audio frequency and high frequency power amplifier applications.

.
Complement to KSA1220A

欧时:
### 功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


富昌:
KSC2690 系列 160 V 1.2 A NPN 外延硅晶体管 - TO-126


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC2690AYS  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 155 MHz, 20 W, 1.2 A, 160 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126


Win Source:
TRANS NPN 160V 1.2A TO-126


KSC2690AYS中文资料参数规格
技术参数

频率 155 MHz

额定电压DC 160 V

额定电流 1.20 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 1.2A

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 320

额定功率Max 1.2 W

直流电流增益hFE 160

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC2690AYS
型号: KSC2690AYS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC2690AYS  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 155 MHz, 20 W, 1.2 A, 160 hFE
替代型号KSC2690AYS
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KSC2690AYS

Fairchild 飞兆/仙童

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