KSE45H8TU

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KSE45H8TU概述

Trans GP BJT PNP 60V 10A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 10 A 40MHz 1.67 W Through Hole TO-220-3


得捷:
TRANS PNP 60V 10A TO220-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


KSE45H8TU中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -8.00 A

极性 PNP

耗散功率 1.67 W

增益频宽积 40 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 1V

额定功率Max 1.67 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1670 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSE45H8TU
型号: KSE45H8TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans GP BJT PNP 60V 10A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail
替代型号KSE45H8TU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSE45H8TU

Fairchild 飞兆/仙童

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KSE45H8

安森美

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