KSE13003H1ASTU中文资料参数规格
技术参数
频率 4 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 9 @500mA, 2V
额定功率Max 20 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 20000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8.3 mm
宽度 3.45 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSE13003H1ASTU
型号： KSE13003H1ASTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSE13003H1ASTU
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSE13003H1ASTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STT13005D-K 意法半导体 | 功能相似 | KSE13003H1ASTU和STT13005D-K的区别 |
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