KSB772YSTU

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KSB772YSTU概述

PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 3A 80MHz 1W Through Hole TO-126-3


得捷:
TRANS PNP 30V 3A TO126-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


富昌:
KSB772 Series 30 V 3 A 1 W Audio Frequency Power Amplifier - TO-126-3


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSB772YSTU  TRANSISTOR, PNP, -30V, 80MHZ, TO-126-3 New


Win Source:
TRANS PNP 30V 3A TO-126


KSB772YSTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -3.00 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 10 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 160 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSB772YSTU
型号: KSB772YSTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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