KSH122TF

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KSH122TF概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount TO-252-3 DPAK


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO252-3


欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
NPN 1.75 W 100 V 8 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; TO252/DPAK


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH122TF  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 100 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK


DeviceMart:
TRANS DARL NPN 100V 8A DPAK


KSH122TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

额定功率 1.75 W

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH122TF
型号: KSH122TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSH122TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSH122TF

Fairchild 飞兆/仙童

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