NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount TO-252-3 DPAK
得捷:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO252-3
欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans
艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
NPN 1.75 W 100 V 8 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; TO252/DPAK
Verical:
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSH122TF Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 100 hFE
Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
DeviceMart:
TRANS DARL NPN 100V 8A DPAK
额定电压DC 100 V
额定电流 8.00 A
额定功率 1.75 W
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 20 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSH122TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD122TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSH122TF和MJD122TF的区别 |
KSH122TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSH122TF和KSH122TM的区别 |
MJD122T4G 安森美 | 功能相似 | KSH122TF和MJD122T4G的区别 |