KSD1691GSTU中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1300 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 200 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 200 @2A, 1V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买KSD1691GSTU
型号： KSD1691GSTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。