KSD880YTU

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KSD880YTU中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 14.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

KSD880YTU引脚图与封装图
KSD880YTU引脚图
KSD880YTU封装焊盘图
在线购买KSD880YTU
型号: KSD880YTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSD880YTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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KSD880Y

飞兆/仙童

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KSD880YTU和KSD880Y的区别

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