KSE13003H3ASTU参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSE13003H3ASTU概述

NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 20W Through Hole TO-126-3

得捷:
TRANS NPN 400V 1.5A TO126-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Tube

Win Source:
NPN Silicon Transistor

KSE13003H3ASTU中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 19 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 19

额定功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买KSE13003H3ASTU

型号： KSE13003H3ASTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor