PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Bipolar BJT Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS PNP 60V 5A TO126-3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
富昌:
PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Win Source:
TRANS PNP 60V 5A TO-126
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 1300 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 160 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSB1151YSTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSB1151YSTSTU 飞兆/仙童 | 完全替代 | KSB1151YSTU和KSB1151YSTSTU的区别 |
KSB1151YSTSSTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSB1151YSTU和KSB1151YSTSSTU的区别 |