Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor PNP 80V 8A 40MHz 1.75W Through Hole I-PAK
得捷:
TRANS PNP 80V 8A IPAK
欧时:
### Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Win Source:
TRANS PNP 80V 8A I-PAK
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 8A I-PAK
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.3 mm
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSH45H11ITU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD45H11-1G 安森美 | 功能相似 | KSH45H11ITU和MJD45H11-1G的区别 |
MJD45H11-001 安森美 | 功能相似 | KSH45H11ITU和MJD45H11-001的区别 |
MJD45H11-001G 安森美 | 功能相似 | KSH45H11ITU和MJD45H11-001G的区别 |