NPN外延硅晶体管功率放大器的应用 NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Applications
Power Amplifier Applications
• Complement to KSB596
得捷:
TRANS NPN 80V 4A TO220-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk
频率 8 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 5V
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSD526Y Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |