KSH2955TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSH2955TM概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount D-Pak

得捷:
TRANS PNP 60V 10A DPAK

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

KSH2955TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH2955TM

型号： KSH2955TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil

替代型号KSH2955TM