KSH42CTF

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KSH42CTF概述

PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor offers -100V collector base voltage and -6A collector current. It is suitable for general purpose amplifier low speed switching applications.

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Lead formed for surface-mount application
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Electrically similar to popular TIP42C

欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
PNP 1.75 W 100 V 6 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH42CTF  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -100 V, 3 MHz, 1.75 W, -6 A, 15 hFE


Win Source:
TRANS PNP 100V 6A DPAK


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 100V 6A DPAK


KSH42CTF中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -6.00 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH42CTF
型号: KSH42CTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSH42CTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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