KSH112TM

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KSH112TM概述

Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; TO252/DPAK

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount D-Pak


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
NPN 1.75 W 100 V 2 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; TO252/DPAK


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH112TM  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 1000 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 100V 2A DPAK


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK


KSH112TM中文资料参数规格
技术参数

频率 25 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

额定功率 1.75 W

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH112TM
型号: KSH112TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; TO252/DPAK
替代型号KSH112TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSH112TM

Fairchild 飞兆/仙童

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KSH112GTM_NB82051

飞兆/仙童

完全替代

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