KSH31CTF

KSH31CTF图片1
KSH31CTF图片2
KSH31CTF图片3
KSH31CTF图片4
KSH31CTF图片5
KSH31CTF图片6
KSH31CTF图片7
KSH31CTF图片8
KSH31CTF图片9
KSH31CTF图片10
KSH31CTF图片11
KSH31CTF图片12
KSH31CTF图片13
KSH31CTF图片14
KSH31CTF图片15
KSH31CTF中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.56 W

集电极击穿电压 100 V

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH31CTF
型号: KSH31CTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSH31CTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSH31CTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MJD31CTF_NBDD001

飞兆/仙童

完全替代

KSH31CTF和MJD31CTF_NBDD001的区别

MJD31CTF

飞兆/仙童

类似代替

KSH31CTF和MJD31CTF的区别

KSH31CTM

飞兆/仙童

类似代替

KSH31CTF和KSH31CTM的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台