NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3
得捷:
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R
富昌:
KSD2012 系列 60 V 3 A 法兰安装 低频 功率 放大器 - TO-220F
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Rail
频率 3 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 25 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 320
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 2.54 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSD2012GTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSD1406GTU 飞兆/仙童 | 功能相似 | KSD2012GTU和KSD1406GTU的区别 |