KSH45H11TF参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSH45H11TF概述

Power Bipolar Transistor, 8A IC, 80V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-3

Bipolar BJT Transistor PNP 80 V 8 A 40MHz 1.75 W Surface Mount D-Pak

得捷:
TRANS PNP 80V 8A DPAK

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
TRANS PNP 80V 8A DPAK

KSH45H11TF中文资料参数规格

技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -8.00 A

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.1 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH45H11TF

型号： KSH45H11TF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Power Bipolar Transistor, 8A IC, 80V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-3

替代型号KSH45H11TF