KSH122ITU

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KSH122ITU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

额定功率 1.75 W

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.3 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH122ITU
型号: KSH122ITU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor
替代型号KSH122ITU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSH122ITU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MJD122-1

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