Trans GP BJT NPN 80V 10A 3Pin3+Tab TO-220 Bulk
GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL TRANSISTORS- .
- *CONT.**
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Bulk
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Bulk
频率 50 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
耗散功率 50 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 1V
额定功率Max 1.67 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 9.9 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSE44H11 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
D44H11 意法半导体 | 功能相似 | KSE44H11和D44H11的区别 |