达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
Bipolar BJT Transistor
得捷:
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3
贸泽:
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
艾睿:
Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 40W; TO126
Verical:
Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Win Source:
TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
额定功率 40 W
耗散功率 40000 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSE800STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE800STU 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSE800STU和MJE800STU的区别 |
KSE800STSSTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSE800STU和KSE800STSSTU的区别 |