额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 40000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSE802STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE802G 安森美 | 功能相似 | KSE802STU和MJE802G的区别 |
BD679G 安森美 | 功能相似 | KSE802STU和BD679G的区别 |
BD679 意法半导体 | 功能相似 | KSE802STU和BD679的区别 |