KSC5026MOS概述
NPN 20 W 800 V 1.5 A 通孔 硅 晶体管 - TO-126-3
Features
• High Voltage and High Reliability
• High Speed Switching
• Wide SOA
艾睿:
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
富昌:
NPN 20 W 800 V 1.5 A 通孔 硅 晶体管 - TO-126-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Win Source:
TRANS NPN 800V 1.5A TO-126
KSC5026MOS中文资料参数规格
技术参数
频率 15 MHz
额定电压DC 800 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 5V
额定功率Max 20 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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