KSH45H11TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSH45H11TM概述

Trans GP BJT PNP 80V 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 8A 40MHz 1.75W Surface Mount TO-252-3 DPAK

得捷:
TRANS PNP 80V 8A TO252-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
TRANS PNP 80V 8A DPAK

KSH45H11TM中文资料参数规格

技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -8.00 A

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

增益频宽积 40 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH45H11TM

型号： KSH45H11TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT PNP 80V 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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替代型号KSH45H11TM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
KSH45H11TM Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
KSH45H11TF 飞兆/仙童	完全替代	KSH45H11TM和KSH45H11TF的区别
MJD45H11TM 飞兆/仙童	类似代替	KSH45H11TM和MJD45H11TM的区别
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