KSH44H11ITU

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KSH44H11ITU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 8.00 A

极性 NPN

耗散功率 20 W

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.3 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH44H11ITU
型号: KSH44H11ITU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号KSH44H11ITU
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KSH44H11ITU

Fairchild 飞兆/仙童

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