KSB1015YTU

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KSB1015YTU概述

Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Power PNP , Semiconductor


欧时:
ON Semiconductor KSB1015YTU , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 1 MHz, 3引脚 TO-220F封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Win Source:
TRANS PNP 60V 3A TO-220F


KSB1015YTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 2.54 mm

高度 15.87 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSB1015YTU
型号: KSB1015YTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSB1015YTU
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