KSB1366GTU中文资料参数规格
技术参数
频率 9 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 320
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 2.54 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSB1366GTU
型号： KSB1366GTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。