FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC5502DTM 晶体管, 高电压, NPN, 600V, DPAK
The is a NPN triple diffused planar Silicon Transistor offers 1200V collector base voltage and 2A collector current. It is suitable for high voltage power switch switching applications.
频率 11 MHz
额定电压DC 600 V
额定电流 2.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 4 @1A, 1V
额定功率Max 50 W
直流电流增益hFE 28
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 50 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD340G 安森美 | 功能相似 | KSC5502DTM和MJD340G的区别 |