KSB1151YSTSTU

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KSB1151YSTSTU概述

Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3


得捷:
TRANS PNP 60V 5A TO126-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


KSB1151YSTSTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -5.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 160 @2A, 1V

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSB1151YSTSTU
型号: KSB1151YSTSTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail
替代型号KSB1151YSTSTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSB1151YSTSTU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

KSB1151YSTU

飞兆/仙童

完全替代

KSB1151YSTSTU和KSB1151YSTU的区别

KSB1151YSTSTU_NL

飞兆/仙童

功能相似

KSB1151YSTSTU和KSB1151YSTSTU_NL的区别

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