KSE13003TH1ATU

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KSE13003TH1ATU概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 20W Through Hole TO-220-3


得捷:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
TRANS NPN 400V 1.5A TO-220


KSE13003TH1ATU中文资料参数规格
技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 30 W

增益频宽积 4 MHz

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 8

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 14.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSE13003TH1ATU
型号: KSE13003TH1ATU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

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