KSD2012YYDTU

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KSD2012YYDTU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 320

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220F-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220F-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSD2012YYDTU
型号: KSD2012YYDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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