KSD526O概述
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Power Amplifier Applications
• Complement to KSB596
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Bulk
KSD526O中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 30 W
增益频宽积 8 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 70 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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