KSB1366G

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KSB1366G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 320

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSB1366G
型号: KSB1366G
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil

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