KSC5603DTU中文资料参数规格
技术参数
频率 5 MHz
额定电压DC 800 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 20 @400mA, 3V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSC5603DTU
型号： KSC5603DTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：KSC5603D Series 800V 3A Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-220-3
替代型号KSC5603DTU
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSC5603DTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSC5603D 飞兆/仙童 | 完全替代 | KSC5603DTU和KSC5603D的区别 |