KSH31CTM参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSH31CTM概述

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount D-Pak

得捷:
TRANS NPN 100V 3A TO252-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

KSH31CTM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

耗散功率 15.0 W

集电极击穿电压 100 V

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSH31CTM

型号： KSH31CTM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT NPN 100V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号KSH31CTM