KSC5502TU

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KSC5502TU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 12 @500mA, 2.5V

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买KSC5502TU
型号: KSC5502TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN平面硅晶体管 NPN Planar Silicon Transistor
替代型号KSC5502TU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSC5502TU

Fairchild 飞兆/仙童

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