KSC5021RTU概述
NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 500 V 5 A 18MHz 50 W Through Hole TO-220-3
得捷:
TRANS NPN 500V 5A TO220-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Verical:
Trans GP BJT NPN 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
KSC5021RTU中文资料参数规格
技术参数
频率 18 MHz
极性 NPN
耗散功率 50 W
增益频宽积 18 MHz
击穿电压集电极-发射极 500 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 15 @600mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 50
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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