KSP45TF参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSP45TF概述

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3Pin TO-92 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 350 V 300 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 350V 300MA TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R

KSP45TF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 300 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSP45TF

型号： KSP45TF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3Pin TO-92 T/R