KSP8099TF参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSP8099TF概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Bipolar BJT Transistor NPN 80 V 500 mA 150MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

KSP8099TF中文资料参数规格

技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSP8099TF

型号： KSP8099TF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial

替代型号KSP8099TF