Trans GP BJT NPN 500V 10A 3Pin3+Tab TO-3P Rail
Bipolar BJT Transistor NPN 500V 10A 18MHz 90W Through Hole TO-3PN
得捷:
TRANS NPN 500V 10A TO3PN
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 500V 10A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail
额定电压DC 500 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
耗散功率 90 W
增益频宽积 18 MHz
集电极击穿电压 800 V
击穿电压集电极-发射极 500 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 15 @800mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 50
额定功率Max 90 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 15.6 mm
宽度 4.8 mm
高度 19.9 mm
封装 TO-3-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSC5024RTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
LM395T 德州仪器 | 功能相似 | KSC5024RTU和LM395T的区别 |
D44H11FP 意法半导体 | 功能相似 | KSC5024RTU和D44H11FP的区别 |
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