NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor
Features
• Low frequency amplifier medium speed switching.
• High Collector-Base Voltage : VCBO=80V.
• Collector Current : IC=700mA
• Collector Power Dissipation : PC=800mW
• Suffix “-C” means Center Collector 1.Emitter 2.Collector 3.Base
• Non suffix “-C” means Side Collector 1.Emitter 2.Base 3.Collector
• Complement to KSA708
得捷:
TRANS NPN 60V 700MA TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC 60.0 V
额定电流 700 mA
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSC1008OTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSC1008OBU 安森美 | 功能相似 | KSC1008OTA和KSC1008OBU的区别 |