Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3Pin TO-92L Ammo
Bipolar BJT Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 120V 800MA TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3-Pin TO-92L Ammo
额定电压DC 120 V
额定电流 800 mA
极性 NPN
耗散功率 0.9 W
增益频宽积 120 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 80 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 8 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99