KSC3503ESTU

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KSC3503ESTU概述

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

• High Voltage : VCEO= 300V

• Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30V

• Excellent Gain Linearity for low THD

• High Frequency: 150MHz

• Full thermal and electrical Spice models are available

• Complement to 2SA1381/KSA1381.

Applications

• Audio, Voltage Amplifier and Current Source

• CRT Display, Video Output

• General Purpose Amplifier


艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 3-Pin3+Tab TO-126 Tube


Win Source:
TRANS NPN 300V 0.1A TO-126


KSC3503ESTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V

额定功率Max 7 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC3503ESTU
型号: KSC3503ESTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

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