KSH30TF中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 1.56 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 15 @1A, 4V
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 1.56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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替代型号KSH30TF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSH30TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD32CT4 意法半导体 | 功能相似 | KSH30TF和MJD32CT4的区别 |