KSE13003TH2ATU概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 1.5 A 4MHz 20 W Through Hole TO-220-3
得捷:
TRANS NPN 400V 1.5A TO220-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
KSE13003TH2ATU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 30000 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 14 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 20 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSE13003TH2ATU