KSP45BU概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar BJT Transistor NPN 350 V 300 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 350V 0.3A TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-92 Bulk
KSP45BU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 350 V
额定电流 300 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSP45BU