KSE5020S

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KSE5020S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 500 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 15 @300mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 50

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSE5020S
型号: KSE5020S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Sil Transistor

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