Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 3Pin3+Tab TO-126 Rail
Bipolar BJT Transistor NPN 300 V 200 mA 80MHz 1.25 W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS NPN 300V 0.2A TO126-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Win Source:
TRANS NPN 300V 0.2A TO-126
额定电压DC 300 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 1250 mW
增益频宽积 80 MHz
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99